過去の若手奨励賞受賞者

若手奨励賞:本研究会において、半導体デバイスの機能と評価の観点から極めて優れた講演(口頭・ポスター講演)を行った30歳以下の若手研究者に授与し、これを称えることを目的としています。賞は、本研究会の設立と、本研究会がターゲットとする半導体デバイスの研究開発に多大な貢献を果たされました安田 幸夫 先生と服部 健雄 先生のお名前を冠しています。

 

第22回研究会(2017年):電子デバイス界面テクノロジー研究会

【安田賞 口頭講演】高橋 恒太 (名古屋大学)

「水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化」

安田賞 ポスター講演】尹 尚希 (東京大学)

「電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響」

【服部賞 口頭講演】大場 俊輔 (早稲田大学)

「シリコンナノワイヤ型熱電発電デバイスにおける短チャネル効果

服部賞 ポスター講演】グェン チュンスァン (名古屋大学)

「光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価」

 

第21回研究会(2016年):電子デバイス界面テクノロジー研究会

【安田賞 口頭講演】中出 和希 (大阪大学)

「水中で酸素還元触媒と接触したGe表面のエッチング特性と平坦化への応用」

安田賞 ポスター講演】麻 田 修平 (早稲田大学)

「Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上」

【服部賞 口頭講演】橋本 秀明 (東京都市大学)

「表面不活性化による歪みGe-on-Insulatorの発光強度増大」

服部賞 ポスター講演】田中 章吾 (大阪大学)

「トップダウン加工によるGeへの引張歪み印加とバンドギャップ変調」

 

第20回研究会(2015年):ゲートスタック研究会

【安田賞 口頭講演】番 貴彦 (奈良先端科学技術大学院大学)

「ナノ粒子埋込V溝型 Junction-less FETにおけるメモリ効果発現と評価」

安田賞 ポスター講演】栗島 一徳 (明治大学/NIMS)

「CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響」

【服部賞 口頭講演】株柳 翔一 (東京大学/JST-CREST)

「電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造」

服部賞 ポスター講演】桧山 正晃 (千葉大学)

「電場下における金属原子の拡散:金属/SiO2界面についての第一原理的理論検討」

 

第19回研究会(2015年):ゲートスタック研究会

【安田賞 口頭講演】矢島 赳彬 (東京大学)

「VO2エピタキシャル極薄膜における相転移不均質性の抑制」

安田賞 ポスター講演】戸村 有佑(筑波大学)

「極薄多結晶HfO2膜を用いたMOSキャパシタにおける結晶粒界を流れるリーク電流の抽出」

【服部賞 口頭講演】坂田 智裕 (奈良先端科学技術大学院大学)

「高分解能角度分解光電子分光法によるGe(100)表面近傍のバンド構造の解明」

服部賞 ポスター講演】図師 知文 (早稲田大学)

「酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係に格子歪みが及ぼす影響」

 

第18回研究会(2014年):ゲートスタック研究会

【安田賞 口頭講演】久木田 健太郎 (大阪大学)

「フォノン凖弾道輸送効果がナノスケールデバイスの熱伝導特性に与える影響」

安田賞 ポスター講演】松江 政博(大阪大学)

「横方向エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価」

【服部賞 口頭講演】長川 健太 (筑波大学)

「酸化により引き起こされるSiCの本質的欠陥」

服部賞 ポスター講演】下田 恭平 (筑波大学)

「酸化・還元アニールによる多結晶HfO2の2次元リーク電流分布変化」

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