電子デバイス界面テクノロジー研究会

プログラム


招待講演


Ⅰ チュートリアル講演


  • 井上 史大 (横浜国立大学)
    「前工程と後工程の垣根を超えた3D集積技術」


Ⅱ 基調講演

  • 川畑 史郎 (産業技術総合研究所)
    「量子未来社会のための量子コンピュータ技術:基礎から最先端まで」

  • 小池 淳義 (Rapidus株式会社)
    「今後の半導体産業の方向」


Ⅲ 海外特別招待講演(オンライン)

  • Naoto Horiguchi (imec)
    「Future CMOS device scaling by 3D architectures」


Ⅳ 招待講演

  • 吾郷 浩樹 (九州大学)
    「エレクトロニクス応用を目指した2.5次元物質の研究開発」

  • 須賀 唯知 (明星大学/先端システム技術研究組合)
    「先端3D集積技術としての表面活性化常温接合」

  • 田中 啓安 (キオクシア株式会社)
    「3次元フラッシュメモリの現状と展望」

  • 浜井 貴将 (キオクシア株式会社)
    「HfO-FeFETの動作メカニズム解析」


Ⅴ 企画セッション

“カーボンニュートラルに貢献する半導体産業”

パネリスト

  • 川口 雄介 (東芝デバイス&ストレージ株式会社)
    「パワー半導体 -カーボンニュートラル実現に向けたキーデバイス-」
  • 東脇 正高 (大阪公立大学)
    「酸化ガリウムデバイス開発の現状と今後の展望」
  • 三屋 裕幸 (株式会社鷺宮製作所)
    「MEMSエレクトレット振動発電デバイスの量産化技術」
  • 都甲 薫 (筑波大学)
    「半導体のリチウムイオン電池応用」
推奨環境