電子デバイス界面テクノロジー研究会

プログラム


招待講演


Ⅰ 特別基調講演(スペシャルレクチャー)


  • 鳥海明(元・東京大学)
    「強誘電体の分極反転機構とHfO2強誘電性の特徴」


Ⅱ 基調講演

  • 内山邦男(産総研)
    「AIチップ設計拠点―日本のAIチップに向けた取り組みと世界の動きー」

  • 津田建二(国際技術ジャーナリスト)
    「日本半導体の復活に世界の知恵を活かそう」


Ⅲ 招待講演

  • 森貴洋(産総研)
    「シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発」

  • 中島寛(九大)
    「DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析」

  • 若林整(東工大)
    「二次元材料をチャネルとするFET」

  • 高宮真(東大)
    「ICとAIを用いたパワーデバイスの新たな価値創造」

  • 大原隆裕(ルネサス)
    「強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスターが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果」

  • 奥野潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
    「ハフニア系強誘電体薄膜を用いた1T1C型FeRAM」


Ⅳ 海外招待講演

  • Hiroaki Arimura(imec)
    「Gate stack process optimization and fin surface oxidation control for Si-cap-free low-DIT SiGe pFET」


Ⅳ 企画セッション

“緊急開催!Web討論~日本の半導体産業のグローバル化と今後~”

グローバル?オープンorクローズ市場
コロナ禍が落とした影とこれから

招待講演:

  • 泉妻宏治(グローバルウェーハズ・ジャパン)
    「なぜ、日本の半導体シリコンウェーハ製造技術が強いのか?」
  • 鄭 基市(東京エレクトロン)
    「東京エレクトロン ~ 新技術・イノベーション創出のために ~」
  • 石丸一成(キオクシア)
    「今こそ日本で半導体!」
  • 田畑俊行(LASSE)
    「フランスに見る持続可能なイノベーションのためのヒント」