若手奨励賞
本研究会において，半導体デバイスの機能と評価の観点から極めて優れた講演（口頭・ポスター講演）を行った30歳以下の若手研究者を称えることを目的とし，本研究会の設立ならびに本研究会がターゲットとする半導体デバイスの研究開発に多大な貢献を果たされました安田 幸夫先生と服部 健雄先生のお名前を冠した奨励賞を授与しています。
第29回研究会(2024年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT29）
【安田幸夫賞 口頭講演】 髙橋 崇典 (奈良先端科学技術大学院大学)
「原子層堆積法で成膜した非晶質/多結晶In-Ga-Oトランジスタの信頼性」
【安田幸夫賞 ポスター講演】 小島 拓也（千葉大学）
「ALDの実現に向けたオゾン処理と真空アニールによるWSe2表面へのSe欠陥導入」
【服部健雄賞 口頭講演】 長嶋 佑哉 (名古屋大学)
「InN MOVPE成長過程におけるTMIn分解・反応経路に関する理論研究」
【服部健雄賞 ポスター講演】 松田 隼（三重大学）
「4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の理論解析：界面双極子形成の検討」
第28回研究会(2023年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT28）
【安田幸夫賞 口頭講演】 大畑 慶記（名古屋大学）
「帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素による劣化の第一原理計算による研究」
【安田幸夫賞 ポスター講演】 木村 慎治（ルネサスエレクトロニクス）
「H原料にAl(CH3)3およびAlCl3を用いたALD-Al2O3膜の比較評価」
【服部健雄賞 口頭講演】 齊藤 宏河（東北大学）
「インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いたSiN膜中トラップ特性の統計的計測」
【服部健雄賞 ポスター講演】 間脇 武蔵（東北大学）
「ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析」
第27回研究会(2022年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT27）
【安田賞 口頭講演】 木村 友哉（名古屋大学）
「CVD成長環境下におけるSiC微斜面への水素被覆の理論研究」
【安田賞 ポスター講演】 長井 大誠（名古屋大学）
「HClによる表面洗浄がAl2O3/GaN界面特性および電気特性に与える影響」
【服部賞 口頭講演】 Sylvia Yuk Yee Chung（早稲田大学）
「Identifying an Anomalous Phonon Mode in SiGe Alloy using Molecular Dynamics Simulation」
【服部賞 ポスター講演】 加藤 珠良偉（千葉大学）
「半導体のpn接合における点欠陥・不純物を介したトンネル電流の理論的検討」
第26回研究会(2021年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT26）
【安田賞 口頭講演】 中西 徹（名古屋大学）
「Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討」
【安田賞 ポスター講演】 関根 将吾（筑波大学）
「Ba拡散法とNO窒化の組み合わせによる4H-SiC Si面MOSFETの電界効果移動度向上」
【服部賞 口頭講演】 小川 湧太郎（名古屋大学）
「Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について」
【服部賞 ポスター講演】 趙 祥勲（千葉大学）
「p/n接合中の共鳴不純物準位によるトンネル電流の増大： 直接・間接バンドギャップ系の比較」
第25回研究会(2020年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT25）
【安田賞 口頭講演】 白石 悠人（千葉大学）
「帯電が誘起する強誘電な斜方晶HfO2の形成：酸素空孔とドーパントの役割」
【安田賞 ポスター講演】 岡 博史（産業技術総合研究所）
「フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製」
【服部賞 口頭講演】 中野 崇志（名古屋大学）
「GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析」
【服部賞 ポスター講演】 土井 拓馬（名古屋大学）
「室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現」
第24回研究会(2019年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT24）
【安田賞 口頭講演】 森 優樹（東京大学）
「HfO2の強誘電性発現におけるドーピングの役割」
【安田賞 ポスター講演】 濵口 高志（東京大学）
「酸化膜キャパシタを用いた温度変動下での環境発電に与える界面ダイポール層強度の温度依存性の効果」
【服部賞 口頭講演】 福田 雅大（名古屋大学）
「高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価」
【服部賞 ポスター講演】 武田 紘典（大阪大学）
「温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察」
第23回研究会(2018年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT23）
【安田賞 口頭講演】 女屋 崇（明治大学）
「上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性の向上」
【安田賞 ポスター講演】 小澤 航大（筑波大学）
「熱処理によるSiN膜中捕獲電荷の分布変化」
【服部賞 口頭講演】 山本 泰史（名古屋大学）
「プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性」
【服部賞 ポスター講演】 藤村 信幸（名古屋大学）
「XPSによる極薄high-k／SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価」
第22回研究会(2017年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT22）
【安田賞 口頭講演】高橋 恒太（名古屋大学）
「水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化」
【安田賞 ポスター講演】尹 尚希（東京大学）
「電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFETに与える影響」
【服部賞 口頭講演】大場 俊輔（早稲田大学）
「シリコンナノワイヤ型熱電発電デバイスにおける短チャネル効果
【服部賞 ポスター講演】グェン チュンスァン（名古屋大学）
「光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価」
第21回研究会(2016年)：電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT21）
【安田賞 口頭講演】中出 和希（大阪大学）
「水中で酸素還元触媒と接触したGe表面のエッチング特性と平坦化への応用」
【安田賞 ポスター講演】麻田 修平（早稲田大学）
「Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上」
【服部賞 口頭講演】橋本 秀明（東京都市大学）
「表面不活性化による歪みGe-on-Insulatorの発光強度増大」
【服部賞 ポスター講演】田中 章吾（大阪大学）
「トップダウン加工によるGeへの引張歪み印加とバンドギャップ変調」
第20回研究会(2015年)：ゲートスタック研究会（Gate Stack 20）
【安田賞 口頭講演】番 貴彦（奈良先端科学技術大学院大学）
「ナノ粒子埋込V溝型 Junction-less FETにおけるメモリ効果発現と評価」
【安田賞 ポスター講演】栗島 一徳（明治大学/NIMS）
「CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響」
【服部賞 口頭講演】株柳 翔一（東京大学）
「電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造」
【服部賞 ポスター講演】桧山 正晃（千葉大学）
「電場下における金属原子の拡散：金属/SiO2界面についての第一原理的理論検討」
第19回研究会(2014年)：ゲートスタック研究会（Gate Stack 19）
【安田賞 口頭講演】矢島 赳彬（東京大学）
「VO2エピタキシャル極薄膜における相転移不均質性の抑制」
【安田賞 ポスター講演】戸村 有佑（筑波大学）
「極薄多結晶HfO2膜を用いたMOSキャパシタにおける結晶粒界を流れるリーク電流の抽出」
【服部賞 口頭講演】坂田 智裕（奈良先端科学技術大学院大学）
「高分解能角度分解光電子分光法によるGe(100)表面近傍のバンド構造の解明」
【服部賞 ポスター講演】図師 知文（早稲田大学）
「酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係に格子歪みが及ぼす影響」
第18回研究会(2013年)：ゲートスタック研究会（Gate Stack 18）
【安田賞 口頭講演】久木田 健太郎（大阪大学）
「フォノン凖弾道輸送効果がナノスケールデバイスの熱伝導特性に与える影響」
【安田賞 ポスター講演】松江 政博（大阪大学）
「横方向エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価」
【服部賞 口頭講演】長川 健太（筑波大学）
「酸化により引き起こされるSiCの本質的欠陥」
【服部賞 ポスター講演】下田 恭平（筑波大学）
「酸化・還元アニールによる多結晶HfO2の2次元リーク電流分布変化」