EDIT31 招待講演
Ⅰ チュートリアル講演
- 高木 信一 (帝京大学)
「MOSトランジスタ研究43年 ～ 半導体デバイスの進化と共に」
Ⅱ 基調講演
- 齋藤 真澄 (キオクシア)
「3D不揮発メモリの最新研究動向」 - 小椋 厚志 (明治大学)
「GAAFETにおけるエピおよび基板技術」
Ⅲ 企画セッション
「EUV リソグラフィ技術の歴史と将来 (仮）」
※4件程度の講演を予定
Ⅳ 招待講演
- 押山 淳 (東北大学)
「内包空間に分布する浮遊電子状態が支配するSiNフラッシュメモリー機能」 - 川那子 高暢 (産総研)
「二次元チャネル材料 創製、デバイス、コンタクト(仮)」 - 黒澤 昌志 (名古屋大学)
「14族元素からなる二次元物質：14族ナノシート」 - 齊藤 雄太 (東北大学)
「カルコゲナイド材料薄膜の創生とデバイス応用(仮)」 - 山本 圭介 (熊本大学)
「遷移金属窒化物/Ge 界面でのショットキー障壁変調とその応用」