プログラム – 招待講演

EDIT30 招待講演

Ⅰ チュートリアル講演

  • 生田目 俊秀 (物質・材料研究機構)
    「まだまだ奥深いALD(原子層堆積)技術」

Ⅱ 基調講演

  • 白田 理一郎 (国立清華大学)
    「NANDフラッシュメモリの開発経緯及び次世代メモリに期待すること」
  • 波多野 睦子 (東京科学大学)
    「TBA」

Ⅲ 招待講演

  • 奥山 亮輔 (SUMCO)
    「CMOSイメージセンサの特性向上に寄与する新たな機能性シリコンウェーハの研究」
  • 株柳 翔一 (キオクシア)
    「高速メモリ応用を見据えたChannel-All-Around型強誘電体トランジスタの動作実証」(仮)
  • 久野 拓馬 (日立製作所)
    「大規模集積シリコン量子コンピュータに向けたConcatenated Continuous Drivingによるスピン量子ビットの寿命延長技術」(仮)
  • 白石 賢二 (名古屋大学)
    「第一原理量子論で見るシリコンテクノロジー」(仮)
  • 野秋 淳一 (日本サムスン)
    「シリコン酸化膜のためのReaxFF開発と原子レベルプロセス評価」
  • 宮迫 毅明 (村田製作所)
    「CSD法を用いた酸化物薄膜材料及びデバイス応用に関する検討」(仮)

Ⅳ 企画セッション

「最先端半導体デバイスの開発動向」(仮)

  • TBA
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