応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
「電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第24回）
協賛（予定）：日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会
- 日時： 2019年1月25日(金)～26日(土)。前日（24日(木)）の夜に，チュートリアルを実施。
- 場所： 東レ総合研修センター； 〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9，Tel：055-980-0333 Fax :055-980-0350
IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。さらに研究会前日にはチュートリアルを開催します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。