応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
「電子デバイス界面テクノロジー研究会
-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第23回)

協賛:日本物理学会,日本化学会,日本金属学会,日本表面科学会,電子情報通信学会,電気学会,触媒学会,日本真空協会,電気化学会,表面技術協会,日本顕微鏡学会,日本セラミックス協会,精密工学会

  1. 日時: 2018年1月19日(金)~20日(土)。前日(18日)の夜に,チュートリアルを実施。
  2. 場所: 東レ総合研修センター; 〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9,Tel:055-980-0333 Fax :055-980-0350

半導体デバイスの研究開発において,構造,材料の変革が進んでいます。ロジックLSIでは,FIN構造やナノワイヤ型に代表される立体構造や新しい高移動度チャネル材料を用いたトランジスタ開発が活発に進められています。パワーデバイスにおいては,SiCやGaNデバイスの開発が進み,新しい展開が始まっています。これら様々なデバイスで性能の鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解はデバイス研究開発に不可欠なものとなっています。本研究会は産・官・学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し,本分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し,前々回より一層スコープを広げ,新たな名称のもとスタートしました。国内外からの招待講演者のほかに,一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。さらに研究会前日にはチュートリアルを開催します。奮ってご参加下さい。

今年の研究会も盛況のうちに終了いたしました。
皆様のご参加と、活発なご議論に感謝いたします。

今回の若手奨励賞受賞者

【安田賞 口頭講演】女屋 崇 (明治大学)
「上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性の向上」
【安田賞 ポスター講演】小澤 航大(筑波大学)
「熱処理によるSiN膜中捕獲電荷の分布変化」
【服部賞 口頭講演】山本 泰史 (名古屋大学)
「プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性」
【服部賞 ポスター講演】藤村 信幸 (名古屋大学)
「XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価」

今後一層のご活躍を期待しております。

次回の研究会は2019年1月25-26日を予定しております。
2018年6月頃に詳細を掲載予定です。

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